Mask Aligner
그룹별 이용수가 확인(상세정보)
| 모델명 | MDA-600S |
| 제조사 | MIDAS |
| 용도 | um사이즈의 패턴 형성용 lithography 장비 |
| 기본제공 PR | GXR 601 |
| 이용수가(원) / 1시간 기준 / 기본PR | |
| 기본(외부) | 50,000 |
| POSTECH(내부) | 45,000 |
| CSTC 참여연구실 | 35,000~42,500 |
| 장비기증 연구실 | 5,000 |
-이용료 부과기준: 회/매
- POSTECH 내부 10% 할인, CSTC 참여연구실 15%~30% 할인
-1시간기준, 기본제공 PR 외의 PR은 본인 구비
No. | Items | Description |
| 1 | Standard Process | um 사이즈의 미세패턴 형성 |
| 2 | Mask Size | up to 7 inch |
| 3 | Wafer Size | 조각 ~ 6 inch |
| 4 | Type of Chuck | 조각, 3 inch, 6 inch |
| 5 | Beam Uniformity | < ±5% |
| 6 | Uniform Beam Size | 6.25 * 6.25 inch (Max.) |
| 7 | Beam Power | 19.6 mW/cm2 |
| 8 | Expose Optics | UV I-line |
| 9 | Alignment Type | Top Side Align |
| 10 | Contact Type | Vacuum Contact, Hard Contact, Soft Contact, Proximity |
No. | Items | Description |
| 1 | Standard Process | um 사이즈의 미세패턴 형성 |
| 2 | Mask Size | up to 7 inch |
| 3 | Wafer Size | 조각 ~ 6 inch |
| 4 | Type of Chuck | 조각, 3 inch, 6 inch |
| 5 | Beam Uniformity | < ±5% |
| 6 | Uniform Beam Size | 6.25 * 6.25 inch (Max.) |
| 7 | Beam Power | 19.6 mW/cm2 |
| 8 | Expose Optics | UV I-line |
| 9 | Alignment Type | Top Side Align |
| 10 | Contact Type | Vacuum Contact, Hard Contact, Soft Contact, Proximity |