Plasma Treatment
그룹별 이용수가 확인(상세정보)
| 모델명 | 19LATOO4 |
| 제조사 | SNTEK |
| 용도 | 플라즈마 방식의 기판 표면처리 |
| 제공 Gas | N2, O2, Ar, H2, CF4 |
| 이용수가(원) / 1시간 기준 | |
| 기본(외부) | 50,000 |
| POSTECH(내부) | 45,000 |
| CSTC 참여연구실 | 35,000~42,500 |
| 장비기증 연구실 | 5,000 |
-이용료 부과기준: 회/매
- POSTECH 내부 10% 할인, CSTC 참여연구실 15%~30% 할인
-1시간기준,
No. | Items | Description |
| 1 | Standard Process | 를라즈마 방식의 기판 표면처리 |
| 2 | 사용 Gas | N2, O2, Ar, H2, CF4 |
| 3 | Flow Control Range | Max. 100sccm |
| 4 | Wafer Size | Max. 6" Wafer |
| 5 | Heating Unit | Max. 500˚C |
| 6 | Ultimate Pressure | 5x10-2 Torr |
| 7 | Power Supply Unit | 13.56MHz, 600W |
| 8 | ||
| 9 | ||
| 10 |
No. | Items | Description |
| 1 | Standard Process | 를라즈마 방식의 기판 표면처리 |
| 2 | 사용 Gas | N2, O2, Ar, H2, CF4 |
| 3 | Flow Control Range | Max. 100sccm |
| 4 | Wafer Size | Max. 6" Wafer |
| 5 | Heating Unit | Max. 500˚C |
| 6 | Ultimate Pressure | 5x10-2 Torr |
| 7 | Power Supply Unit | 13.56MHz, 600W |
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