고진공 열처리
그룹별 이용수가 확인(상세정보)
| 모델명 | ANC |
| 제조사 | 주문제작 |
| 용도 | 고진공 열처리 |
| 제공 Gas | N2 |
| 이용수가(원) / 1시간 기준 | |
| 기본(외부) | 30,000 |
| POSTECH(내부) | 27,000 |
| CSTC 참여연구실 | 21,000~25,500 |
| 장비기증 연구실 | 3,000 |
-이용료 부과기준: 회/매
- POSTECH 내부 10% 할인, CSTC 참여연구실 15%~30% 할인
-1시간기준,
No. | Items | Description |
| 1 | Standard Process | 0℃ ~ 300℃ 이하에서 고진공 |
| 2 | Process Pressure | 1.0E-6 Torr |
| 3 | Base Pressure | 1.0E-6 Torr |
| 4 | Max. Temperature | 300℃ |
| 5 | Wafer Size | up to 12-inch |
| 6 | 대상 물질 | 물질 사용 제한 없음 |
| 7 | Pump system | Turbo, Rotary Pump |
| 8 | ||
| 9 | ||
| 10 |
No. | Items | Description |
| 1 | Standard Process | 0℃ ~ 300℃ 이하에서 고진공 |
| 2 | Process Pressure | 1.0E-6 Torr |
| 3 | Base Pressure | 1.0E-6 Torr |
| 4 | Max. Temperature | 300℃ |
| 5 | Wafer Size | up to 12-inch |
| 6 | 대상 물질 | 물질 사용 제한 없음 |
| 7 | Pump system | Turbo, Rotary Pump |
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