ICP-RIE
그룹별 이용수가 확인(상세정보)
| 모델명 | KVET-I200L |
| 제조사 | Korea Vacuum Tech |
| 용도 | 플라즈마 방식의 건식식각 장비 |
| 사용가스 | O2, Ar, CF4 |
| 이용수가(원) / 1시간 기준 / 기본 Gas | |
| 기본(외부) | 60,000 |
| POSTECH(내부) | 54,000 |
| CSTC 참여연구실 | 42,000~51,000 |
| 장비기증 연구실 | 6,000 |
-이용료 부과기준: 회/매
- POSTECH 내부 10% 할인, CSTC 참여연구실 15%~30% 할인
-1시간기준
No. | Items | Description |
| 1 | Standard Process | Oxide Etch (CF4 gas base) |
| 2 | Plasma Source | ICP plasma |
| 3 | Etch Rate | 33.5nm/min (Thermal Oxide 기준) |
| 4 | Wafer Size | 조각 ~ 6 inch (<15cm) |
| 5 | Uniformity | < ±1.16% (3-inch기준) |
| 6 | 사용 Gas | CF4, O2, Ar (Max.30 sccm) |
| 7 | Type of Chamber | 알루미늄 알루마이트 챔버 |
| 8 | Max. Power | ICP : 200W / bias : 200W |
| 9 | Etch 가능 물질 | SiO2, ZnO, Te, Graphene, Si3N4 [Etch Rate: 55.1nm/min, Selectivity = 2 : 1 (Si3N4 : SiO2 기준), Uniformity: 3.4%] |
| 10 |
No. | Items | Description |
| 1 | Standard Process | Oxide Etch (CF4 gas base) |
| 2 | Plasma Source | ICP plasma |
| 3 | Etch Rate | 33.5nm/min (Thermal Oxide 기준) |
| 4 | Wafer Size | 조각 ~ 6 inch (<15cm) |
| 5 | Uniformity | < ±1.16% (3-inch기준) |
| 6 | 사용 Gas | CF4, O2, Ar (Max.30 sccm) |
| 7 | Type of Chamber | 알루미늄 알루마이트 챔버 |
| 8 | Max. Power | ICP : 200W / bias : 200W |
| 9 | Etch 가능 물질 | SiO2, ZnO, Te, Graphene, Si3N4 [Etch Rate: 55.1nm/min, Selectivity = 2 : 1 (Si3N4 : SiO2 기준), Uniformity: 3.4%] |
| 10 |
