ALD-1 (Atomic Layer Deposition)
그룹별 이용수가 확인(상세정보)
| 모델명 | Lucida D200 |
| 제조사 | NCD |
| 용도 | 산화물 박막 원자층 증착 |
| 기본 depo. 막질 | HfO, ZrO, Al2O3 및 삼성분계 적층 가능 |
| 이용수가(원) / 100cycle 기준 / 기본 recipe 제공 | |
| 기본(외부) | 60,000 |
| POSTECH(내부) | 54,000 |
| CSTC 참여연구실 | 42,000~51,000 |
| 장비기증 연구실 | 6,000 |
-이용료 부과기준: 회/매
- POSTECH 내부 10% 할인, CSTC 참여연구실 15%~30% 할인
-100cycle 기준, 막질별 기본 recipe 제공
No. | Items | Description |
| 1 | Standard Process | HfO, ZrO, Al2O3 |
| 2 | Precusor | TMA, TEMAHf, TEMAZr, H2O |
| 3 | Process Tempmerature | 0~250˚C |
| 4 | Wafer Size | up to 8-inch |
| 5 | Vacuum Gauge | Process Gauge: Batatron Gauge Vacuum Check: Convactrom Gauge, ATM sensor |
| 6 | 막질 Uniform | <±2% |
| 7 | ||
| 8 | ||
| 9 | ||
| 10 |
No. | Items | Description |
| 1 | Standard Process | HfO, ZrO, Al2O3 |
| 2 | Precusor | TMA, TEMAHf, TEMAZr, H2O |
| 3 | Process Tempmerature | 0~250˚C |
| 4 | Wafer Size | up to 8-inch |
| 5 | Vacuum Gauge | Process Gauge: Batatron Gauge Vacuum Check: Convactrom Gauge, ATM sensor |
| 6 | 막질 Uniform | <±2% |
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